该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中最核心的工艺，光刻胶是光刻工艺环节需要使用的一种非常关键的材料。

太紫微公司成立于2024年5月，由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创立。团队立足于关键光刻胶底层技术研发，在电子化学品领域深耕二十余载。企业负责人、英国皇家化学会会员、华中科技大学教授朱明强表示：“以原材料的开发为起点，最终获得具有自主知识产权的配方技术，这只是个开始，我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶，为国内相关产业带来更多惊喜。”

太紫微核心研发团队成员（前排左一为朱明强教授）

太紫微公司致力于半导体专用高端电子化学品材料的开发，并以新技术路线为半导体制造开辟新型先进光刻制造技术，同时为材料的分析与验证提供最全面的手段。

“无论是从国内半导体产业崛起的背景来看，还是从摩尔定律演变的规律展望未来，‘百家争鸣’的局面已形成，光刻领域还会有很多新技术、新企业破茧成蝶，但拥有科技创新的力量是存活下去的必要前提。”太紫微外聘专家顾问表示。